漿料粒徑對(duì)CMP工藝缺陷水平的影響

通過使用兩種粒度測量儀器，對(duì)較常用的化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）氧化物漿料（CabotSC-112）的漿料粒度進(jìn)行了分析。其中一種儀器是PSS粒度儀公司的Nicomp 370，用于監(jiān)測平均粒徑為100nm左右的漿料顆粒的主要群體。另一種儀器，Accusizer 770被發(fā)現(xiàn)是有效的監(jiān)測粒徑大于1μm。粒徑分布測試是從供應(yīng)商源容器和CMP機(jī)器上的使用點(diǎn)進(jìn)行的，這些結(jié)果與BPSG CMP過程的缺陷級(jí)別相關(guān)。在研究過程中發(fā)現(xiàn)，漿料磨料顆粒的主要種群在樣品間變化不大。然而，一小部分（＜0.01%）的大漿料顆粒在晶圓上顆粒數(shù)量的增加有關(guān)。經(jīng)過仔細(xì)檢查，發(fā)現(xiàn)這些顆粒是嵌入的漿料顆粒和微小的劃痕。

介紹

化學(xué)機(jī)械拋光的氧化物涉及使用磨料提供必要的整體和局部平整。雖然研究主要集中在CMP機(jī)器參數(shù)、拋光耗材和CMP清洗后等方面，但對(duì)漿料額分析主要是由漿料的來完成的。本研究的目的是提供一些洞見關(guān)于漿料顆粒分布對(duì)缺陷的影響，漿液過濾的重要性，以及后CMP清洗過程對(duì)這些缺陷的脆弱性。

實(shí)驗(yàn)

Cabot SC-112漿液從3個(gè)不同的來源取樣。First來源是使用點(diǎn)上的IPEC/Westech CMP機(jī)器。漿料系統(tǒng)是IPEC/Westech設(shè)計(jì)的系統(tǒng)。該系統(tǒng)由一個(gè)25加侖的儲(chǔ)罐組成，該儲(chǔ)罐使用再循環(huán)回路，以不斷保持漿料溶液的攪動(dòng)。在IPEC/Westech CMP機(jī)器的上游，放置了一個(gè)使用30微米一次性過濾筒的過濾殼，用于評(píng)估過濾效率。CMP機(jī)器上的蠕動(dòng)泵將把漿液從循環(huán)回路中取出。剩余的漿料將會(huì)返回到漿料槽中（圖1）。

第二個(gè)來源是卡伯特公司新開的5加侖集裝箱。第三個(gè)來源是一個(gè)5加侖的容器底部，該容器已打開許多天，容器側(cè)面的漿料已經(jīng)干了。三個(gè)測試組由2個(gè)BOSG晶片和1個(gè)BPSG形貌測試晶片組成。 所有晶圓片在測試前都要預(yù)先檢查顆粒。根據(jù)樣本來源確定三個(gè)實(shí)驗(yàn)組。在這種情況下，它們被標(biāo)記為已過濾，新的和被污染的。晶圓片也在同一個(gè)拋光墊上按此順序加工，這樣漿料中大顆粒的數(shù)量會(huì)逐漸變差。所有晶圓都在Rodel IC-1000/suba4 疊層拋光機(jī)上進(jìn)行拋光，在5PSI下壓力下墊1分鐘。晶片載體和壓板速度都是24轉(zhuǎn)。使用IPEC/Westech CMP機(jī)器提供的蠕動(dòng)泵，已150毫升/分鐘的速度拋光晶片。每組保留留樣1份，用于粒度檢測。所有晶片都要用Rodel Politex Supreme 拋光墊在1.5psi的溫度下進(jìn)行20s的二次拋光，只使用去水。晶圓和壓板轉(zhuǎn)速分別為50和30rpm。

在CMP工藝之后，所有晶片都在ONTrak DSS-200洗滌器上僅使用去離子水進(jìn)行清洗。隨后是30秒的100:1HF浸泡，以清除任何重金屬污染。

結(jié)果與討論

使用Tencou Surfscan 4500粒子檢測器檢測BPSG晶片。測試了大于0.24μm的光點(diǎn)缺陷。隨后，將500埃的鈦沉積在晶圓表面以增強(qiáng)顆粒缺陷，并在Tencor上重新檢查晶圓。在顆粒粒度系統(tǒng)PSS nicomp 370和Accusizer 770顆粒粒度儀上測試了各組的固相漿料樣品。Nicomp 370用于測量亞微米粒子，而Accusizer 770用于大于1μm的粒子。Nicomp 370的結(jié)果表面，不同樣品間的漿料磨料顆粒的主要數(shù)量變化不大。

在大于1微米的顆粒大小區(qū)域，由Accusizer 770給出了發(fā)生的情況的較好指示。圖3顯示了3個(gè)樣本的疊加。在就得或受到污染的漿料樣品中發(fā)現(xiàn)的顆粒數(shù)量|多，其次是新的漿料樣本。正如預(yù)期的那樣，在過濾漿料樣品中發(fā)現(xiàn)的大顆粒的數(shù)量|少。

然后對(duì)Toncor Surfscan4500 的顆粒數(shù)據(jù)和Accusizer770的漿料顆粒數(shù)據(jù)進(jìn)行平均和比較。從圖4可以看出，拋光、雙面擦洗、100:1HF浸漬后，大漿料顆粒的數(shù)量與硅片上殘留的顆粒數(shù)量直接相關(guān)。

然后用KLA儀器2132型檢閱臺(tái)對(duì)地形進(jìn)行了檢查這些顆粒大部分被發(fā)現(xiàn)是嵌入顆粒和微劃痕。照片1

結(jié)論

本研究的結(jié)果表明，一小部分的大磨料顆?？梢灾苯訉?duì)BPSG薄膜的高顆粒水平做出貢獻(xiàn)。隨后的拋光步驟，雙面擦洗和100:1HF浸在克服這種類型的顆粒污染無效。通過對(duì)大漿體顆粒的監(jiān)測可以獲得更好的過程控制，并配合過濾的使用可以大大降低大漿體的顆粒的影響。