0.9°步進型多角度（MADLS）真正的多角度模塊

不同粒徑的納米粒子，尤其是粒徑遠小于激光波長的粒子在傳統(tǒng)的動態(tài)光散射理論下，力度分布（PSD）會失去一些細節(jié)。Entegris（PSS）Nicomp® 3000 系列開創(chuàng)性地配備了可以從14.4°-180°范圍內，步長0.9°的多角度模塊，對特殊樣品（如極小粒徑）可以選用合適的角度進行檢測，顯著提高對復雜體系的分辨力。

復用型直插靶電級，減少耗材成本

Zeta電位檢測模塊，采用雙列直插式靶電極，清潔方便，易于清洗，可以反復使用。既保護了環(huán)境，也大大減少了使用一次性可丟棄的電極模塊的成本。

專有的Nicomp®多峰分布，可分辨1:2的多組分

Entegris（PSS）Nicomp® 3000系列搭載了Nicomp®多峰算法，可以有效區(qū)分不同粒徑（1：2的不同組分），為復雜體系和多組分體系提供了強有力的生產工具。

（下圖為同一復雜體系樣品分別在高斯算法和Nicomp®算法所呈現(xiàn)的結果）

                   

                

高斯粒徑分布圖

                

Nicomp®多峰粒徑分布圖

                   

自動稀釋模塊和自動進樣模塊，減少試錯成本和人工誤差

Entegris（PSS）Nicomp® 3000 系列在動態(tài)光散射法上應用了自動稀釋模塊和自動進樣模塊，既可以有效避免人工稀釋所帶來的試錯成本和誤差，更可以實現(xiàn)檢測的自動化操作，為大批量的檢測提供了良好的解決方案。

Nicomp® 3000系列設備檢測原理圖

Nicomp® 3000系列納米激光粒度儀采用動態(tài)光散射原理檢測分析樣品的粒度分布。基于多普勒電泳光散射原理（Doppler Electrophoretic Light Scattering，ELS）檢測ZETA電位。其主要用于檢測納米級別及微米級別的體系，粒徑檢測范圍0.3nm-10μm，ZETA電位檢測范圍為±500mV。動態(tài)光散射方法（DLS）從傳統(tǒng)的光散射理論中分離，關注瑞利散射區(qū)的小顆粒，主要用于檢測納米級別的分散體系。動態(tài)光散射是通過光強值的波動得到自相關函數(shù)，從而獲得衰減時間常量τ，進而計算獲得粒子的擴散速度D（Diffusion Coefficient，擴散系數(shù)），代入Stokes-Einstein方程式，就可以計算得到顆粒的半徑。

Zeta電勢電位測定：Nicomp® Z3000結合了動態(tài)光散射技術（DLS）和電泳光散射法（ELS）,實現(xiàn)了同機測試亞微米粒子分布和ZETA電勢電位。ELS是將電泳和光散射結合起來的一種新型光散射，它的光散射理論基礎是準彈性碰撞理論，在實驗時通過在樣品槽中外加一個外電場，帶電粒子即會以固定速度向與帶電粒子電性相反的電極方向移動，與之相應的動態(tài)光散射光譜產生多普勒漂移，這一漂移正比于帶電粒子的移動速度，因此由實驗測得的譜線的漂移，就可以求得帶電粒子的電泳速度，從而得到電位值。通過測試顆粒之間的排斥力，判斷體系穩(wěn)定性的測量手段之一。

相位分析法（PALS）:用相位（Phase）變化的分析取代原先頻譜的漂移，不僅使Zeta電位分析的精度及穩(wěn)定性有了顯著的提高，而且突破了水相體系的限制，對有機相體系同樣能提供Zeta電位的精確分析。